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刻蚀和沉积领域

HC等离子体源

MY-HC
刻蚀和沉积领域
该等离子体源兼具CCP等离子体源均匀性和ICP等离子体源高密度。该等离子体源全金属设计,无氧污染,带电离子成份少,在非氧薄膜沉积领域具有低氧污染,效率高能优点。
2024-09-25 08:28
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产品详情

该等离子体源兼具CCP等离子体源均匀性和ICP等离子体源高密度。该等离子体源全金属设计,无氧污染,带电离子成份少,在非氧薄膜沉积领域具有低氧污染,效率高能优点。

关键技术指标

电源频率:13.56MHz/27.12MHz(自动匹配)
功率:0 -10 kW;
气压: 0.01 Pa to 1000 Pa;
气体:几乎所有工艺气体;
离子动能: 0-2.5keV
冷却方式:水冷
源体形状:圆形或者矩形,根据客户需求定制
中和方式:无需中和
引出方式:平面单栅网(不锈钢、钨、钼、石墨等材质)
电源频率:13.56MHz/27.12MHz(自动匹配)
气压:0.01Pa-1000Pa